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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB

総合得点
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
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ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB

ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB 考慮すべき理由
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 12.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 2350

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