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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2350
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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