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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2350
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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