Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.6
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 46
    Rund um -7% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 12.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2103 left arrow 2034
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RAM 1
RAM 2

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