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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
比較する
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
総合得点
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
総合得点
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.4
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
7.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
46
周辺 -7% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
43
読み出し速度、GB/s
12.4
12.1
書き込み速度、GB/秒
8.1
7.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2103
2034
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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