Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.4 left arrow 12.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    43 left arrow 46
    Wokół strony -7% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.4 left arrow 12.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2103 left arrow 2034
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania