RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17500
17000
Rund um 1.03% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
52
Rund um -206% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.0
Speicherbandbreite, mbps
17500
17000
Other
Beschreibung
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2319
3550
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link