RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
17000
Wokół strony 1.03% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
52
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
17
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
17000
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
3550
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link