RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
比較する
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17500
17000
周辺 1.03% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
52
周辺 -206% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.9
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.0
8.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
17
読み出し速度、GB/s
10.2
20.9
書き込み速度、GB/秒
8.2
16.0
メモリ帯域幅、mbps
17500
17000
Other
商品説明
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2319
3550
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link