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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
17000
En 1.03% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
52
En -206% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
17
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17500
17000
Other
Descripción
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2319
3550
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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