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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
39
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2431
3122
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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