RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
54
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3178
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link