RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3178
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link