RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
54
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3178
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link