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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1578
3318
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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