RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1578
3318
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link