RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3318
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link