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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
3318
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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