RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
71
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2341
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link