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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
71
Intorno -137% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
30
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2341
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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