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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
71
左右 -137% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
30
读取速度,GB/s
2,831.6
15.6
写入速度,GB/s
1,322.6
11.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2341
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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