RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2341
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link