RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Gesamtnote
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3909
2939
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link