RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2142
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link