PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

PNY Electronics PNY 2GB против A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 13
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 27
    Около -8% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 13.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 7.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2142
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения