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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 13
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.2
    テスト平均値
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 27
    周辺 -8% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2142

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