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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
13.0
写入速度,GB/s
8.4
7.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2142
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB RAM的比较
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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