RAM-Vergleich PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Gesamtnote

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 86

Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.8 12.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.4 5.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics PNY 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2274 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns