Comparação RAM PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Pontuação geral

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 86

Por volta de 69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.8 12.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.4 5.7

Valor médio nos testes

Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2274 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns