Comparaison de la RAM PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Note globale

PNY Electronics PNY 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 86

Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.8 12.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.4 5.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

PNY Electronics PNY 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2274 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns