Comparación de la memoria RAM PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Puntuación global

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 86

En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.8 12.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.4 5.7

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2274 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns