RAM-Vergleich Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Gesamtnote

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 18.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,069.2 15.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 106

Rund um -361% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 5300

Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

734 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns