RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,069.2
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
106
Около -361% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
106
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,273.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,069.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
734
3317
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Сравнения RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link