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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,069.2
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
106
Autour de -361% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
3317
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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