RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2929
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link