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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
17.5
写入速度,GB/s
10.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2929
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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