RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3049
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Inmos + 256MB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link