RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3049
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link