RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
59
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3049
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link