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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
18.0
写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3049
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
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