RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3049
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link