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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3784
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