RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3784
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link