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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3784
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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