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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
59
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
1,559.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,505.3
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,559.1
9.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
407
2415
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
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