RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
59
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,559.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,505.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,559.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
407
2415
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link