RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
59
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,559.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,505.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,559.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
407
2415
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link