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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
59
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
1,559.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,505.3
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,559.1
9.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
407
2415
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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