RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
77
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2971
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link