RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2971
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link